參數(shù)資料
型號(hào)： MPC8349VVAGF
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, 400 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA672
封裝： 35 X 35 MM, 1.46 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-672
文件頁(yè)數(shù)： 8/88頁(yè)
文件大?。?/td> 1014K
代理商： MPC8349VVAGF
MPC8349E PowerQUICC II Pro Integrated Host Processor Hardware Specifications, Rev. 10
16
Freescale Semiconductor
DDR SDRAM
6.2
DDR SDRAM AC Electrical Characteristics
This section provides the AC electrical characteristics for the DDR SDRAM interface.
6.2.1
DDR SDRAM Input AC Timing Specifications
Table 13 provides the input AC timing specifications for the DDR SDRAM interface.
6.2.2
DDR SDRAM Output AC Timing Specifications
Table 14 and Table 15 provide the output AC timing specifications and measurement conditions for the
DDR SDRAM interface.
Table 13. DDR SDRAM Input AC Timing Specifications
At recommended operating conditions with GVDD of 2.5 V ± 5%.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
AC input low voltage
VIL
—MVREF – 0.31
V
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.31
GVDD + 0.3
V
MDQS—MDQ/MECC input skew per byte
333 MHz
266 MHz
tDISKEW
—
750
1125
ps
1
Note:
1. Maximum possible skew between a data strobe (MDQS[n]) and any corresponding bit of data (MDQ[8n + {0...7}] if
0 <= n <= 7) or ECC (MECC[{0...7}] if n = 8).
Table 14. DDR SDRAM Output AC Timing Specifications for Source Synchronous Mode
At recommended operating conditions with GVDD of 2.5 V ± 5%.
Parameter
Symbol1
Min
Max
Unit
Notes
MCK[n] cycle time, (MCK[n]/MCK[n] crossing)
tMCK
610
ns
2
Skew between any MCK to ADDR/CMD
333 MHz
266 MHz
200 MHz
tAOSKEW
–1000
–1100
–1200
200
300
400
ps
3
ADDR/CMD output setup with respect to MCK
333 MHz
266 MHz
200 MHz
tDDKHAS
2.8
3.45
4.6
—ns
4
ADDR/CMD output hold with respect to MCK
333 MHz
266 MHz
200 MHz
tDDKHAX
2.0
2.65
3.8
—ns
4
MCS(n) output setup with respect to MCK
333 MHz
266 MHz
200 MHz
tDDKHCS
2.8
3.45
4.6
—ns
4
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PDF描述
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