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參數(shù)資料
| 型號： | MPC8343EZQAGDB |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 7/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MPU POWERQUICC II 620-PBGA |
| 標準包裝： | 36 |
| 系列： | MPC83xx |
| 處理器類型： | 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro |
| 速度： | 400MHz |
| 電壓： | 1.2V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 620-BBGA 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝： | 620-PBGA（29x29） |
| 包裝： | 托盤 |
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MPC8343EA PowerQUICC II Pro Integrated Host Processor Hardware Specifications, Rev. 11
Freescale Semiconductor
15
DDR and DDR2 SDRAM
6
DDR and DDR2 SDRAM
This section describes the DC and AC electrical specifications for the DDR SDRAM interface of the
MPC8343EA. Note that DDR SDRAM is GVDD(typ) = 2.5 V and DDR2 SDRAM is GVDD(typ) = 1.8 V.
The AC electrical specifications are the same for DDR and DRR2 SDRAM.
NOTE
The information in this document is accurate for revision 3.0 silicon and
later. For information on revision 1.1 silicon and earlier versions see the
MPC8343E PowerQUICC II Pro Integrated Host Processor Hardware
Specifications. See Section 22.1, “Part Numbers Fully Addressed by This
Document,” for silicon revision level determination.
6.1
DDR and DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics
Table 12 provides the recommended operating conditions for the DDR2 SDRAM component(s) of the
MPC8343EA when GVDD(typ) = 1.8 V.
Table 12. DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics for GVDD(typ) = 1.8 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
I/O supply voltage
GVDD
1.71
1.89
V
1
I/O reference voltage
MVREF
0.49
× GV
DD
0.51
× GV
DD
V2
I/O termination voltage
VTT
MVREF –0.04
MVREF +0.04
V
3
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.125
GVDD +0.3
V
—
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF –0.125
V
—
Output leakage current
IOZ
–9.9
9.9
μA4
Output high current (VOUT = 1.420 V)
IOH
–13.4
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.280 V)
IOL
13.4
—
mA
—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to equal 0.5 × GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak noise
on MVREF cannot exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to equal
MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
≤ V
OUT ≤ GVDD.
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PDF描述 |
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