參數(shù)資料
型號： MMSTA63-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： MMSTA63-13
DS30159 Rev. 6 - 2
2 of 3
MMSTA63/MMSTA64
www.diodes.com
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 3)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-30
V
IC = -100
mAVBE = 0V
Collector Cutoff Current
ICBO
-100
nA
VCB = -30V, IE = 0
Emitter Cutoff Current
IEBO
-100
nA
VEB = -10V, IC = 0
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
DC Current Gain
MMSTA63
MMSTA64
MMSTA63
MMSTA64
hFE
5,000
10,000
20,000
IC = -10mA, VCE = -5.0V
IC = -100mA, VCE = -5.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
-1.5
V
IC = -100mA, IB = -100
mA
Base- Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
-2.0
V
IC = -100mA, VCE = -5.0V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
fT
125
MHz
VCE = -5.0V, IC = -10mA,
f = 100MHz
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Ordering Information (Note 4)
Device
Packaging
Shipping
MMSTA63-7
SOT-323
3000/Tape & Reel
MMSTA64-7
SOT-323
3000/Tape & Reel
Notes:
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
5. For Lead Free/RoHS Compliant version part numbers, please add "-F" suffix to the part numbers above. Example: MMSTA64-7-F.
Marking Information
KxE
YM
KxE = Product Type Marking Code, e.g. K2E = MMSTA63
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
Date Code Key
Year
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
Code
JK
L
M
N
P
R
ST
U
V
W
Month
Jan
Feb
March
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
Code
12
3
4
5
6
7
89
O
N
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSZ4688D87Z 4.71 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5223B 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5259B 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5248B_NL 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMUN2113LT3 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMSTA63-7-F 功能描述:達林頓晶體管 -500V 200mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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MMSTA64-7-F 功能描述:達林頓晶體管 PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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