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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMSZ5248B_NL |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | SOD-123, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | MMSZ5248B_NL |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
MMSZ5226B - MMSZ5257B, Rev. E1, JULY 2006
Zener
s
M
MSZ52
26B
-MMSZ5257B
Electrical Characteristics T
A=25°C unless otherwise noted
Device
Mark
VZ (V)
ZZ (
) @ I
ZK (mA)
ZZK (
) @ I
ZK (mA)
IR(
A) @ V
R (V)
Min.
Typ.
Max.
MMSZ5226B
MMSZ5227B
MMSZ5228B
MMSZ5229B
D1
D2
D3
D4
3.135
3.42
3.705
4.085
3.3
3.6
3.9
4.3
3.465
3.78
4.095
4.515
28
24
23
22
20
1,600
1,700
1,900
2,000
0.25
25
15
10
5.0
1.0
MMSZ5230B
MMSZ5231B
MMSZ5232B
MMSZ5233B
D5
E1
E2
E3
4.465
4.845
5.32
5.7
4.7
5.1
5.6
6
4.935
5.355
5.88
6.3
19
17
11
7.0
20
1,900
1,600
0.25
5.0
2.0
3.0
3.5
MMSZ5234B
MMSZ5235B
MMSZ5236B
MMSZ5237B
E4
E5
F1
F2
5.89
6.46
7.125
7.79
6.2
6.8
7.5
8.2
6.51
7.14
7.875
8.61
7.0
5.0
6.0
8.0
20
1,000
750
500
0.25
5.0
3.0
4.0
5.0
6.0
6.5
MMSZ5238B
MMSZ5239B
MMSZ5240B
MMSZ5241B
MMSZ5242B
F3
F4
F5
H1
H2
8.265
8.645
9.5
10.45
11.4
8.7
9.1
10
11
12
9.135
9.555
10.5
11.55
12.6
8.0
10
17
22
30
20
600
0.25
3.0
2.0
1.0
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
MMSZ5243B
MMSZ5244B
MMSZ5245B
MMSZ5246B
MMSZ5247B
H3
H4
H5
J1
J2
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
13
14
15
16
17
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
13
15
16
17
19
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
600
0.25
0.5
0.1
9.9
10
11
12
13
MMSZ5248B
MMSZ5249B
MMSZ5250B
MMSZ5251B
MMSZ5252B
J3
J4
J5
K1
K2
17.1
18.05
19
20.92
22.8
18
19
20
22
24
18.9
19.95
21
23.1
25.2
21
23
25
29
33
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
600
0.25
0.1
14
15
17
18
MMSZ5253B
MMSZ5254B
MMSZ5255B
MMSZ5256B
MMSZ5257B
K3
K4
K5
M1
M2
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
25
27
28
30
33
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
35
41
44
49
58
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
600
700
0.25
0.1
19
21
23
25
VF Foward Voltage = 0.9V Maximum @ IF = 10mA for all MMSZ5200 series
Zeners
MMSZ5226B - MMSZ5257B
Absolute Maximum Ratings * T
A = 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
** FR-4 or FR-5 = 3.5
× 1.5 inches using minimumrecommended land pads.
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation @25
°C
500
mW
RθJA
Thermal Resistance, Juncion to Ambient **
340
°C/W
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperture
+150
°C
SOD-123
Tolerance = 5%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMUN2113LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2115LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2133LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2134LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2114LT3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMSZ5248BS-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5248BS-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5248BT1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5248BT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ5248BT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
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