參數(shù)資料
型號(hào)： MMSTA56
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： MMSTA56
SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56
Transistors
!Electrical characteristic curves
0
400
300
200
100
500
2.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
IB=0mA
0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
4.0mA
4.5mA
5.0mA
Ta=25
°C
IC
-COLLECTOR
CURRENT
(
mA)
VCE-COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (
V)
Fig.1 Grounded emitter output
characteristics
1
10
100
1000
100
1000
10
h
FE
-DC
CURRENT
GAIN
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=25
°C
VCC=5V
3V
1V
Fig.2 DC current gain vs. collector
current (
Ι )
1
10
100
1000
100
1000
10
h
FE
-DC
CURRENT
GAIN
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=125
°C
25
°C
40°C
VCE=3V
Fig.3 DC current gain vs. collector
current (
ΙΙ )
1
10
100
1000
0.2
0.3
0.1
0
V
CE(SAT)
COLLECTOR
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
(V)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
IC / IB=10
Ta=125
°C
25
°C
40°C
Fig.4 Collector emitter saturation
voltage vs. collector current
1
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(SAT)
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
(
V)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=25
°C
IC
/ IB=10
Fig.5 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
1
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(ON)
BASE
EMITTER
VOLTAGE
(
V)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
VCE=3V
Ta=
40
°C
125
°C
25
°C
Fig.6 Grounded emitter propagation
characteristics
0.5
1
10
50
10
500
100
5
CAPACITANCE
(
pF)
REVERSE BIAS VOLTAGE (
V)
Ta=25
°C
f=1MHz
Cib
Cob
Fig.7 Input/output capecitance
vs. voltage
1
10
100
1000
100
1000
10
CURRENT
GAIN-BANDWIDTH
PRODUCT
(
MHz)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=25
°C
VCE=10V
Fig.8 Gain bandwidth product
vs. collector current
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PDF描述
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