型號: | MMSTA06-13 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
代理商: | MMSTA06-13 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMSTA06T146 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA13T146 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA42 | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA56T146 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA92-13 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMSTA06-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA06-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA06T146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA13 | 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
MMSTA13_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |