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參數(shù)資料
| 型號： | MMSTA13T146 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MMSTA13T146 |
MMSTA13
Transistors
1/1
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : R1M
MMSTA13
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
(2)
(1)
2.8
1.6
0.4
(3)
2.9
1.9
0.95
0.8
0.15
0.3Min.
1.1
NPN small signal transistor
MMSTA13
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High Current Gain.
Packaging specifications
Package
Code
Taping
Basic ordering unit (pieces)
MMSTA13
T146
3000
Type
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Parameter
VCBO
VCES
VEBO
PC
Tj
Tstg
30
V
A
°C
30
10
0.3
IC
0.2
W
0.35
W
150
55 to 125
Symbol
Limits
Unit
Mounted on a 7×5×0.6 mm CERAMIC SUBSTRATE
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector-base cutoff current
Emitter-base cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
DC current transfer ratio
Collector output capacitance
Pulsed
Parameter
Symbol
BVCES
BVCEO
BVEBO
ICEO
hFE
fT
Cob
Min.
30
10
5000
125
5.4
0.1
VIC
= 100
A
IC
= 10
A
IE
= 10
A
VEB
= 10V
VCE
= 5V, IC= 10mA
10000
VCE
= 5V, IC= 100mA
VCE
= 5V, IE= 10mA, f=100MHz
VCB
= 10V, f=100kHz, IE= 0
V
ICBO
0.1
VCB
= 30V
A
VCE(sat)
1.5
IC/IB
= 100mA/ 100
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VBE(on)
2.0
VCE
= 5V, IC= 100mA
V
Transition frequency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSTA42 | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA56T146 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA92-13 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMT-108-01-SM-DH | 16 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| MMT-102-01-F-SH | 2 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMSTA14 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA14-7 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMSTA14-7-F | 功能描述:達林頓晶體管 NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMSTA14T146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
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