型號: | MMST5551-13 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 74K |
代理商: | MMST5551-13 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMST5551 | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST5551P | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST918T146 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA05-13 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA06-13 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMST5551-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST5551-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST5551-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST5551-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST5551-TP-TR | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R |