參數(shù)資料
型號： MMST2222AP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 0K
代理商： MMST2222AP
MMST2222A
NPN
Plastic-Encapsulate
Transistors
Features
Power Dissipation: 0.2W
Ultra-small surface mount package
Marking: K3P
Maxim um Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
40
V
VCBO
Collector-Base Voltage
75
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6.0
V
ICBO
Collector Cut-off Current
(VCB=70V, IE=0)
100
mA
ICEO
Collector Cut-off Current
(VCE=35V, IB=0)
100
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(VEB=3V, IC=0)
100
mA
PC
Power dissipation
(1)
200
mW
TJ
Junction Temperature
-55 to +150
℃
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
℃
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS (2)
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=1.0mAdc, IB=0)
40
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=10mAdc, IE=0)
75
---
Vdc
V(BR)EBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IE=10uAdc, IC=0)
6.0
---
Vdc
ON CHARACTERISTICS(2)
hFE
DC Current Gain
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)
100
50
300
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)
---
0.6
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)
---
1.2
Vdc
fT
Transition Frequency
(VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz)
300
---
Hz
Cob
Output Capacitance
(VCB=10V, IE=0mA, f=1MHz)
---
8
pF
td
Delay Time
(VCC=30V , Icc=150mA ,VBE(off)=0.5V,
IB1=15mA)
---
10
ns
tr
Rise Time
(VCC=30V , Icc=150mA ,VBE(off)=0.5V,
IB1=15mA)
---
25
ns
ts
Storage Time
(VCC=30V , Icc=150mA , IB1=IB2=15mA)
---
225
ns
tf
Fall Time
(VCC=30V , Icc=150mA , IB1=IB2=15mA)
---
60
ns
SOT-323
Suggested Solder
Pad Layout
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.071
.087
1.80
2.20
B
.045
.053
1.15
1.35
C
.079
.087
2.00
2.20
D
.026 Nominal
0.65Nominal
E
.047
.055
1.20
1.40
F
.012
.016
.30
.40
G
.000
.004
.000
.100
H
.035
.039
.90
1.00
J
.004
.010
.100
.250
K
.012
.016
.30
.40
A
C
B
D
E
F
G
H
J
1.90
0.70
0.90
0.65
DIMENSIONS
K
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 2
2006/05/13
TM
Micro Commercial Components
E
B
C
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
www.mccsemi.com
1 of 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMST2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMST2907AP 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMST3904T246 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMST3904 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMST3906-13 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMST2222A-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMST2222AT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMST2222A-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMST2907 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:PNP Medium Power Transistor (Switching)
MMST2907A 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Small Signal Transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*