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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMSF7P03HD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 7 A, 30 V, P Channel SO8(7A，30V，P溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET 7甲，30五，P通道SO8封裝（第7A，30V的，P溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | MMSF7P03HD |
MMSF7P03HD
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
R
0
0
0.2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.4
0.6
2.0
0
8.0
10
Figure 1. OnRegion Characteristics
ID
1.5
2.0
2.5
4.0
ID
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.0
4.0
10
0.20
0.25
0.30
1.0
2.0
3.0
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
9.0
0.020
0.040
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0
0.8
1.2
1.6
1.0
100
1000
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DraintoSource Leakage
Current versus Voltage
I
V
GS
= 0 V
0.8
1.0
3.0
1.2
1.4
3.5
0.15
6.0
8.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 125
°
C
12
0.050
0.030
6.0
0
0.4
0
5.0
20
30
8.0
10
12
6.0
0.10
0.025
10
100
°
C
4.0
2.0
4.0
2.0
0.05
15
25
1.6
1.8
3.0
5.0
7.0
9.0
0.045
0.035
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.2
0.6
1.0
1.4
10
T
J
= 25
°
C
I
D
= 7.0 A
10 V
6.0 V
4.5 V
4.3 V
4.1 V
3.9 V3.7 V3.5 V
V
GS
= 3.3 V
3.1 V
2.9 V
2.7 V
2.5 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
100
°
C
25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 V
10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
. 10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MM-SIO-R-01 | 功能描述:單板計(jì)算機(jī) MiniModule Super I/O for CM 730 Legacy IO RoHS:否 制造商:Ampro By ADLINK 外觀尺寸:EPIC 處理器類型:Intel Atom D510 頻率:1.66 GHz 存儲(chǔ)容量:2 GB (max) 存儲(chǔ)類型:DDR2, L2 Cache 接口類型:Ethernet, PS/2, SATA, Serial, USB 工作電源電壓:5 V, 12 V 功耗:13 W 最大工作溫度:+ 70 C 尺寸:165.1 mm x 114.3 mm |
| MMSKG1 | 制造商:Siemens 功能描述: |
| MMSL101 | 制造商:Preh Elec. 功能描述: |
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