參數(shù)資料
型號： MMJT9410
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Bipolar Power Transistors NPN Silicon(NPN型雙極性功率晶體管)
中文描述： 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA
封裝： PLASTIC, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 73K
代理商： MMJT9410
MMJT9410
http://onsemi.com
3
Figure 3. DC Current Gain
10
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
H
1.0
,
F
Figure 4. DC Current Gain
Figure 5. “On” Voltages
10
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
1.0
0.1
0.01
1.0
V
Figure 6. “On” Voltages
10
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
H
1.0
,
F
10
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
0.1
0.01
1.0
V
V
CE
= 1.0 V
150
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 4.0 V
150
°
C
25
°
C
55
°
C
I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
/I
B
= 50
V
BE(sat)
V
CE(sat)
Figure 7. V
BE(on)
Voltage
Figure 8. Capacitance
1.0
10
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1.2
0.8
0.4
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
100
0.1
1.0
V
C
0
1.0
10
1000
100
V
CE
= 4.0 V
150
°
C
25
°
C
55
°
C
C
ob
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PDF描述
MMJT9435 Bipolar Power Transistors PNP Silicon(PNP型雙極性功率晶體管)
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參數(shù)描述
MMJT9410G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors NPN Silicon
MMJT9410T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9410T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors PNP Silicon
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