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參數(shù)資料
| 型號： | MMFT3166T3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MMFT3166T3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT3166T1 | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFTN138 | 220 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| MMG05N60DT1 | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261 |
| MMG05N60DT1 | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261 |
| MMG05N60DT3 | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261A |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMFT5P03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS |
| MMFT5P03HDT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MMFT5P03HDT3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR |
| MMFT6N03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS |
| MMFT960T1 | 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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