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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMFT3055ET1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 封裝： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | MMFT3055ET1 |
MMFT3055E
http://onsemi.com
6
Figure 14. Capacitance Variation With Voltage
SAME
DEVICETYPE
AS DUT
Vin
+18V
VDD
10V
100k
0.1
μF
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
47k
15V
100k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH ≤ 100 μs, DUTY CYCLE ≤ 10%.
1mA
47k
Figure 15. Gate Charge versus
GateToSource Voltage
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Crss
Ciss
Coss
1400
20
1200
1000
800
600
400
200
0
15
10
5
0
5
10
15
20
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
16
0
14
12
10
0
24
6
20
V
GS
,GA
TETOSOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
VDS = 36 V
8
6
4
2
810
12
14
16
18
48 V
VGS
VDS
TJ = 25°C
f = 1 MHz
TJ = 25°C
ID = 1.7 A
VGS = 10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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