參數(shù)資料
型號: MMFT2N02EL
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts N-Channel(2A,20V,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 功率MOSFET 2安培,20伏特N溝道(第2A,20V的,?溝道增強(qiáng)型功率馬鞍山場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 6/12頁
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代理商: MMFT2N02EL
MMFT2N02EL
http://onsemi.com
6
Figure 14. Capacitance Variation With Voltage
SAME
DEVICETYPE
AS DUT
Vin
+18V
VDD
5V
100k
0.1
μ
F
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
2N3904
47k
15V
100k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH
100
μ
s, DUTY CYCLE
10%.
1mA
47k
Figure 15. Gate Charge versus Gate–To–Source Voltage
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
Crss
Ciss
Coss
1800
20
1600
800
600
400
200
0
15
5
0
5
10
15
20
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
10
0
9
8
7
0
5
20
V
6
5
4
2
10
15
1400
1200
1000
3
1
VGS
VDS
TJ = 25
°
C
f = 1 MHz
TJ = 25
°
C
VDS = 16 V
ID = 1.6 A
Ciss
Crss
Coss
10
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMFT2N02ELT1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMFT2N25E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS
MMFT2N25ET3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
MMFT3055E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER TMOS FET 1.7 AMP 60 VOLTS
MMFT3055EL 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.5 AMP 60 VOLTS