參數(shù)資料
型號(hào): MMFT1N10ET3
廠商: MOTOROLA INC
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商: MMFT1N10ET3
MMFT1N10E
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
RG
t
VDS
L
IL
VDD
Figure 9. Commutating Waveforms
tP
BVDSS
VDD
IL(t)
t, (TIME)
Figure 10. Commutating Safe Operating Area
(CSOA)
15 V
VGS
0
90%
IFM
dlS/dt
IS
10%
trr
tfrr
0.25 IRM
IRM
ton
VDS
Vf
VdsL
VR
VDS(pk)
MAX. CSOA
STRESS AREA
Figure 11. Commutating Safe Operating Area
Test Circuit
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Test Circuit
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
+
+
Figure 13. Unclamped Inductive Switching
Waveforms
VR
VGS
IFM
20 V
RGS
DUT
IS
VDS
Li
VR = 80% OF RATED VDSS
VdsL = Vf + Li dlS/dt
I S
,SOURCE
CURRENT
(AMPS)
5
0
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
0
20
40
60
80
100
120
140
1
0.5
dIS/dt ≤ 400 A/s
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PDF描述
MMFT1N10ET1 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
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