型號: | MMFT1N10ET3 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
文件頁數(shù): | 10/10頁 |
文件大?。?/td> | 236K |
代理商: | MMFT1N10ET3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMFT1N10ET1 | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT2955ET3 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT2955ET1 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT2955ET1G | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT2N25EG | 2000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMFT1N20T1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMFT2406T | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER TMOS FET 700 mA 240 VOLTS |
MMFT2406T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
MMFT2406T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
MMFT2406T3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |