參數(shù)資料
型號(hào)： MMFT1N10ET1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 236K
代理商： MMFT1N10ET1
MMFT1N10E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
10
Figure 1. On Region Characteristics
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
Figure 2. Gate–Threshold Voltage Variation
With Temperature
TJ, JUNCTION TEMP (°C)
Figure 3. Transfer Characteristics
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. On–Resistance versus Junction
Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
VDS = VGS
ID = 1.0 mA
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
8
6
4
2
0
10
8
6
4
2
0
V
GS(TH)
,GA
TE
THRESHOLD
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
1.1
– 50
1.0
0.9
0.8
0.7
0
50
100
150
4
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
3
2
1
0
10
8
6
4
2
0
0.5
0
0.3
0.2
0.1
0
2
4
0.4
0.5
0.4
0.3
0.1
0
16
12
10
8
6
4
0.5
– 50
0.3
0.2
0.1
0
50
100
150
0.4
0.2
14
7 V
6 V
VGS = 4 V
5 V
9 V
8 V
VDS = 10 V
100
°C
TJ = – 55°C
25
°C
TJ = 100°C
25
°C
– 55
°C
TJ = 25°C
ID = 1 A
VGS = 10 V
ID = 1 A
10 V
VGS = 10 V
1.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT1N10ET3 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT1N10ET1 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT2955ET3 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT2955ET1 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT2955ET1G 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
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MMFT2406T1G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
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