參數(shù)資料
型號(hào)： MMDT3946
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 258K
代理商： MMDT3946
PNP 3906_Maximum Ratings @ TA = 25℃
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current -Continuous
IC
-200
mA
Collector Power Dissipation
PC
200
mW
Junction Temperature
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-55~+150
℃
PNP 3906_Electrical Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Test Condition
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-base breakdown voltage
IC=-10A,IE=0
VCBO
-40
V
Collector-emitter breakdown voltage
IC=-1mA,IB=0
VCEO
-40
V
Emitter-base breakdown voltage
IE=-10A,IC=0
VEBO
-5
V
Collector-base cut-off current
VCB=-30V,IC=0
ICBO
-50
nA
Emitter-base cut-off current
VEB=-5V,IC=0
IEBO
-50
nA
VCE=-1V,IC=-0.1mA
hFE1
60
V
VCE=-1V,IC=-1mA
hFE2
80
V
VCE=-1V,IC=-10mA
hFE3
100
300
V
VCE=-1V,IC=-50mA
hFE4
60
V
DC current gain
VCE=-1V,IC=-100mA
hFE5
30
V
IC=-10mA,IB=-1mA
VCE(sat)1
-0.25
V
Collector-emitter saturation voltage
IC=-50mA,IB=-5mA
VCE(sat)2
-0.4
V
IC=-10mA,IB=-1mA
VBE(sat)1
-0.65
-0.85
V
Base-emitter saturation voltage
IC=-50mA,IB=-5mA
VBE(sat)2
-0.95
V
Transition frequency
VCE=-20V,IC=-10mA,
f=100MHz
fT
250
MHz
Collector output capacitance
VCB=-5V,IE=0,f=1MHz
Cob
4.5
pF
Noise figure
VCE=-5V,IC=-0.1mA,f=1kHz
,Rg=1K
NF
4
dB
Delay time
Td
35
nS
Rise time
VCC=-3V, VBE=-0.5V
IC=-10mA , IB1=-IB2=-1mA
Tr
35
nS
Storage time
Ts
225
nS
Fall time
VCC=-3V, IC=-10mA
IB1=-IB2=-1mA
Tf
75
nS
REV. 1, Oct-2010, KSTR04
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PDF描述
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MMDT4401T/R7 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT4401T/R13 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMDT3946G-AL6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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