參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH10L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTH10L99Z
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers,
with collector currents in the 100
A to 20 mA range in common
emitter or common base mode of operations, and in low frequency
drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.
MPSH10
MMBTH10
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
25
V
VCBO
Collector-Base Voltage
30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
3.0
V
IC
Collector Current - Continuous
50
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
C
E
B
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 3E
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSH10
*MMBTH10
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
225
1.8
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
125
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
357
556
°C/W
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MMBTH10LT3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMBTH24LT3 VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MMBTH10LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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