參數(shù)資料
型號： MMBTH10L-C-AL3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MMBTH10L-C-AL3-R
MMBTH10
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R206-003.F
TYPICAL CHARACTERISTICS
Typical
Pulsed
Curren
tGain,
h
FE
Collector-Emitter
Voltage,
V
CE
(S
A
T
)(V)
Base
Emitter
Voltage,
V
BE
(S
A
T
)(V)
Base
Emitter
On
Voltage,
V
BE
(O
N)
(V)
Coll
ecto
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I CB
O
(nA)
Po
wer
Dissi
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tion
,P
D
(mW
)
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PDF描述
MMBTH10S62Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH10D87Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
MMBTH10LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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