參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH10L-C-AL3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MMBTH10L-C-AL3-R
MMBTH10
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R206-003.F
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°С unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
25
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
3
V
SOT-23
225
mW
Power Dissipation
SOT-323/SOT-523
PC
200
mW
Collector current
IC
50
mA
Junction Temperature
TJ
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°С unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=100A
30
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA
25
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=10A
3
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC=4mA, IB=400A
500
mV
Base-Emitter on Voltage
VBE(ON)
VCE=10V, IC=4mA
950
mV
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=25V
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=2V
100
nA
DC Current Gain
hFE
VCE=10V, IC=4mA
60
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHZ
0.7
pF
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=4mA, f=100MHz
650
MHz
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
A
B
C
RANGE
60-100
90-130
120-200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH10S62Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH10D87Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MPSH10D26Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH10D74Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MMBTH10L99Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTH10LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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