參數資料
型號: MMBTH10G-C-AE3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數: 3/5頁
文件大?。?/td> 228K
代理商: MMBTH10G-C-AE3-R
MMBTH10
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
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www.unisonic.com.tw
QW-R206-003.F
TYPICAL CHARACTERISTICS
Typical
Pulsed
Curren
tGain,
h
FE
Collector-Emitter
Voltage,
V
CE
(S
A
T
)(V)
Base
Emitter
Voltage,
V
BE
(S
A
T
)(V)
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相關PDF資料
PDF描述
MMBTH10G-B-AL3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10-C-AE3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10-B-AN3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10-A-AE3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10-C-AL3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2