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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTH10-C-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | MMBTH10-C-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBTH10
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-003.F
RF TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MMBTH10 is designed for using as VHF and UHF
oscillators and VHF Mixer in a tuner of a TV receiver.
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
MMBTH10-x-AE3-R MMBTH10L-x-AE3-R MMBTH10G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBTH10-x-AL3-R MMBTH10L-x-AL3-R MMBTH10G-x-AL3-R
SOT-323
E
B
C
Tape Reel
MMBTH10-x-AN3-R MMBTH10L-x-AN3-R MMBTH10G-x-AN3-R
SOT-523
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10-B-AN3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10-A-AE3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10-C-AL3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10L-A-AE3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10L-A-AL3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTH10LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTH10LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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