參數(shù)資料
型號: MMBTH10-13
廠商: DIODES INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 73K
代理商: MMBTH10-13
DS31031 Rev. 7 - 2
3 of 3
MMBTH10
www.diodes.com
1
10
100
1000
1
10
100
V= 5V
CE
h
,
DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3, DC Current Gain vs. Collector Current
C
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.1
1
10
1000
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4 Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
C
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.90
0.85
1.00
0.95
V@ V
= 5V
BE(on)
CE
1
10
100
1000
10000
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
t
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs Collector Current
C
V= 5V
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH10L-B-AL3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10G-C-AN3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10G-C-AE3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10G-B-AL3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10-C-AE3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTH10-4LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-4LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2