參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA64
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Darlington Transistor(PNP達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 46K
代理商： MMBTA64
M
Typical Characteristics
(continued)
PNP Darlington Transistor
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0
0.01
0.1
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
25 °C
- 40 oC
125 oC
β
= 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
V = 5V
25 °C
- 40 oC
125 oC
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
C
o
V = 15V
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
0
4
8
12
16
REVERSE VOLTAGE (V)
C
C
f = 1.0 MHz
ib
C
ob
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
SOT-223
TO-92
SOT-23
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PDF描述
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