參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA56L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： MMBTA56L99Z
MPSA56
/
MMBTA56
/
PZTA56
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P3
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
C
BE
O
N
V
= 1V
CE
- 40 C
125 °C
25 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P3
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
ββ = 10
- 40 C
125 °C
25 °C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.001
0.01
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
CT
O
R
CU
RR
E
N
T
(
n
A
)
A
CBO
V
= 60Vz
CB
Collector Saturation Region
3000
5000
10000
20000
30000
50000
0
2
4
6
8
10
I - BASE CURRENT (uA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
LT
A
G
E
(
V
)
CE
B
10 mA
100 mA
1 mA
T
= 25°C
I
=
C
A
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE(V)
CA
P
A
CI
T
A
NCE
(
p
F
)
C
f = 1.0 MHz
CE
ib
Cob
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
P3
110
20
50
100
0
10
20
30
40
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-G
A
IN
BAN
DW
ID
T
H
P
R
O
D
U
C
T
(M
Hz
)
C
T
V
= 5V
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56S62Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56LT1-TP 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA55LT1 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA55LT1-TP 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA56LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP 80V SOT-23
MMBTA56LT1T 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBTA56LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*