參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA56
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 90K
代理商： MMBTA56
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56/E8 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA64-13 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switching/Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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