參數(shù)資料
型號： MMBTA56-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： MMBTA56-GS18
VISHAY
MMBTA56
Document Number 85146
Rev. 1.2, 01-Sep-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Package Dimensions in mm (Inches)
2.0 (0.079)
0.9 (0.035)
0.95 (0.037)
0.52 (0.020)
1
2
3
17418
2.8 (.110)
3.1 (.122)
0.4 (.016)
0.95 (.037)
0.1 (.004) max.
1.20(.047)
1.43
(.056)
0.4 (.016)
0.098 (.005)
0.175 (.007)
0.95
(.037)
1.15
(.045)
2.35 (.092)
2.6 (.102)
ISO Method E
Mounting Pad Layout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56-GS08 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56-HIGH 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MPSA56/D75Z-J25Z 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56-J25Z 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56/D74Z-J22Z 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBTA56LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP 80V SOT-23
MMBTA56LT1T 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBTA56LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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