參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA55
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： MMBTA55
Figure 6. “ON” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
-10
-500
-1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = -1.0 V
-0.5
-2.0
-5.0
-200
-20
-50
Figure 7. Collector Saturation Region
Figure 8. Base–Emitter Temperature
Coefficient
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
q
°
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V CE
-100
-500
-0.5
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-10
RqVB for VBE
-1.0 -2.0
-5.0
-20
-50
-200
-0.1
-10
-0.05
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-1.0
TJ = 25°C
-50
IC =
-100 mA
IC =
-50 mA
IC =
-250 mA
IC =
-500 mA
IC =
-10 mA
-20
-2.0
-5.0
-0.2
-0.5
MCC
MMBTA55 thru MMBTA56
Revision: 4
2006/09/20
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
3 of 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MPSA56/D75Z-J25Z 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56-J25Z 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBTA55-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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