參數(shù)資料
型號: MMBTA44T/R7
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 364K
代理商: MMBTA44T/R7
PAGE . 1
STAD-MAR.24.2008
MMBTA44
NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
VOLTAGE
400 Volts
225 mWatts
FEATURES
Silicon, planar design
Collector-emitter voltage V
CE = 400V
Collector current I
C = 300mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.008 gram
Marking: A44
POWER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
1
Base
3
Collector
2
Emitter
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Top View
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
e
g
a
t
l
o
V
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
l
o
C
V
O
E
C
0
4V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
l
o
C
V
O
B
C
0
4V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
E
V
O
B
E
0
.
6V
s
u
o
u
n
i
t
n
o
C
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
l
o
C
I
C
0
3A
m
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
)
1
e
t
o
N
(
n
o
i
t
a
p
i
s
i
D
r
e
w
o
P
x
a
M
P
T
O
T
5
2
2W
m
t
n
e
i
b
m
A
o
t
n
o
i
t
c
n
u
J
,
e
c
n
a
t
s
i
s
e
R
l
a
m
r
e
h
T
Rθ
A
J
6
5
O
W
/
C
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
n
o
i
t
c
n
u
J
T
J
0
5
1
o
t
5
-
O C
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
e
g
a
r
o
t
S
T
G
T
S
0
5
1
o
t
5
-
O C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA44T/R13 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA44 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA44 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA44 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA55-13 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA55 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2