參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA43L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/3頁
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代理商： MMBTA43L99Z
NPN High Voltage Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
200
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
200
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 100
A, I
C = 0
6.0
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 160 V, IE = 0
0.1
A
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 4.0 V, IC = 0
0.1
A
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 10 V
IC = 10 mA, VCE = 10 V
IC = 30 mA, VCE = 10 V
25
40
50
200
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 20 mA, IB = 2.0 mA
0.4
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 20 mA, IB = 2.0 mA
0.9
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width 300 mmmmms, Duty Cycle 2.0%
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 20 V,
f = 100 MHz
50
MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 20 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
4.0
pF
MPSA43
/
MMBT
A43
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PDF描述
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參數(shù)描述
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