參數資料
型號： MMBTA42LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數： 2/4頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： MMBTA42LT3
MMBTA42LT1, MMBTA43LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MMBTA42
MMBTA43
V(BR)CEO
300
200
-
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
MMBTA42
MMBTA43
V(BR)CBO
300
200
-
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
-
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 200 Vdc, IE = 0)
MMBTA42
(VCB = 160 Vdc, IE = 0)
MMBTA43
ICBO
-
0.1
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
MMBTA42
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
MMBTA43
IEBO
-
0.1
mAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
Both Types
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc)
Both Types
(IC = 30 mAdc, VCE = 10 Vdc)
MMBTA42
MMBTA43
hFE
25
40
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
MMBTA42
MMBTA43
VCE(sat)
-
0.5
Vdc
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
VBE(sat)
-
0.9
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Current-Gain - Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)
fT
50
-
MHz
Collector-Base Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
MMBTA42
MMBTA43
Ccb
-
3.0
4.0
pF
3. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
120
0.1
1.0
10
100
80
60
0
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = +125°C
25
°C
-55
°C
VCE = 10 Vdc
100
20
40
相關PDF資料
PDF描述
MMBTA43LT3 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA43 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA517 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA55 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56/E9 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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