參數(shù)資料
型號： MMBTA42G-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： MMBTA42G-AE3-R
MMBTA42
NPN SILICON TRANSISTOR
TYPICAL CHARACTERISTICS
DC
Cur
rent
G
a
in,
h
FE
(Normalized)
1K
500
1
2
5
10 20
50 100 200 500
200
100
50
20
10
5
2
1
DC Current Gain vs. Output Current
Ta=25°C
Ta=150°C
Ta=-50°C
VCE=5V
Collector Current, IC (mA)
DC
Cu
rre
n
tGa
in
,h
FE
(
N
ormalized)
1K
500
12
5
10 20
50 100 200 500
200
100
50
20
10
5
2
1
DC Current Gain vs. Output Current
Collector Current, IC (mA)
Ta=25℃
Ta=150℃
Ta=-50℃
VCE=10V
Collect
or
t
o
Emit
ter
Saturation
Voltag
e,
V
CE(SAT
)
(V)
Base
Emitter
Voltage,
V
BE(ON)
(V)
12
5
10 20
50 100 200
500
Collector Emitter Saturation vs.
Collector Current
Collector Current, IC (mA)
IC/IB=10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
110
100
Collector Current, IC (mA)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
Ta=150°C
Ta=25°C
VCE=5V
Ta=-50°C
Collector Emitter Saturation vs.
Collector Current
Ta=150°C
Ta=-50°C
Ta=25°C
Current Gain Bandwidth Product
Collector Current, IC (mA)
C
u
rren
tGai
n
Ban
d
wi
dth
Prod
uct
(MHz)
24
8
20
Ta=25°C
6
10
10.0
100.0
1000.0
VCE=5V
12 14 16 18
400
350
100
50
0
25
50
75
100
125
150
300
250
200
150
0
175
Power Derating Power Dissipation
vs. Case Temperature
Case Temperature, TC (°C)
Power
Dissipation,
Pc
(mW)
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-004,E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA42L99Z 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MPSA42 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42D27Z 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42D75Z 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42J18Z 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MMBTA42LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTA42LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN 300V SOT-23
MMBTA42LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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