參數(shù)資料
型號： MMBTA42G-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： MMBTA42G-AE3-R
MMBTA42
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-004,E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
300
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
300
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Dissipation (Ta=25°C)
PC
350
mW
Collector Current
IC
500
mA
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=100μA, IE=0
300
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC =1mA, IB=0
300
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=100μA, IC =0
6
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC =20mA, IB=2mA
0.2
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC =20mA, IB=2mA
0.90
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=200V, IE=0
100
nA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VBE=6V, IC =0
100
nA
VCE=10V, IC =1mA
80
VCE=10V, IC =10mA
80
300
DC Current Gain
hFE
VCE=10V, IC =30mA
80
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
50
MHz
Collector Base Capacitance
Ccb
VCB=20V, IE=0, f=1MHz
3
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA42L99Z 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MPSA42 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42D27Z 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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MPSA42J18Z 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MMBTA42LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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MMBTA42LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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