參數(shù)資料
型號： MMBTA42
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MINIATURE, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： MMBTA42
MMBTA42
Electrical characteristics
3/8
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Note (2) Pulsed duration = 300
s, duty cycle ≤1.5%
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE =0)
VCB = 200 V
100
nA
V(BR)CBO
Collector-base
breakdown voltage
(IE =0)
IC = 100 A
300
V
V(BR)CEO
(2)
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB =0)
IC = 1 mA
300
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage
(IC =0)
IC = 100 A6
V
VCE(sat)
(2)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 20 mA
IB = 2 mA
0.5
V
VBE(sat)
(2)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 20 mA
IB = 2 mA
0.9
V
hFE
(2)
DC current gain
IC = 1 mA
VCE = 10 V
IC = 10 mA
VCE = 10 V
IC = 30 mA
VCE = 10 V
25
40
fT
Transition frequency
IC = 10 mA
VCE = 20 V
f = 100 MHz
50
MHz
CCBO
Collector-base
capacitance
(IE = 0)
VCB = 20 V
f = 1 MHz
3pF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTA42,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
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