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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA42-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | MMBTA42-13 |
DS30062 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMBTA42
www.diodes.com
1
10
100
1
10
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs
Collector Current
V= 5V
CE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA42L99Z | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42S62Z | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42LT3 | 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA43LT3 | 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA43 | 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA42215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 |
| MMBTA42-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA427F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| MMBTA42-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA42LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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