參數(shù)資料
型號： MMBTA14
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： MMBTA14
2007-04-19
2
SMBTA14/MMBTA14
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-base breakdown voltage
IC = 10 A, IE = 0
V(BR)CBO
30
-
V
Collector-emitter breakdown voltage
IC = 10 A, VBE = 0
V(BR)CES
30
-
Emitter-base breakdown voltage
IE = 10 A, IC = 0
V(BR)EBO
10
-
Collector-base cutoff current
VCB = 30 V, IE = 0
VCB = 30 V, IE = 0 , TA = 150 °C
ICBO
-
0.1
10
A
Emitter-base cutoff current
VEB = 10 V, IC = 0
IEBO
-
100
nA
DC current gain1)
IC = 10 mA, VCE = 5 V
IC = 100 mA, VCE = 5 V
hFE
10000
20000
-
Collector-emitter saturation voltage1)
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
VCEsat
-
1.5
V
Base emitter saturation voltage1)
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
VBEsat
-
2
AC Characteristics
Transition frequency
IC = 50 mA, VCE = 5 V, f = 20 MHz
fT
125
-
MHz
Collector-base capacitance
VCB = 10 V, f = 100 MHz
Ccb
-
3
-
pF
1Pulse test: t < 300s; D < 2%
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PDF描述
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