參數(shù)資料
型號: MMBTA14
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 25K
代理商: MMBTA14
MMBTA13 and MMBTA14
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88229
2
10-May-02
Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Minimum
Maximum
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
at IC = 100
A, IB = 0
V(BR)CEO
30
V
Emitter Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
IEBO
100
nA
Collector Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
ICBO
100
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage
at IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
VCEsat
1.5
V
Base-Emitter On Voltage
at IC = 100 mA, VCE = 5.0V
VBE(on)
2.0
V
DC Current Gain
at VCE = 5.0 V, IC = 10 mA
MMBTA13
5000
––
MMBTA14
hFE
10000
––
at VCE = 5.0 V, IC = 100 mA
MMBTA13
10000
––
MMBTA14
20000
––
Gain-Bandwidth Product
at VCE = 5.0 V, IC = 10 mA, f = 100 MHZ
fT
125
MHZ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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