參數(shù)資料
型號(hào): MMBTA13
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商: MMBTA13
UTC MMBTA13
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R206-006,B
DARLINGTON TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MMBTA13 is a Darlington transistor.
FEATURES
*Collector-Emitter Voltage: VCES = 30V
*Collector Dissipation: Pc (mas) = 350 mW
MARKING
SOT-23
1
2
3
1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Collector Dissipation
Pc
350
mW
Collector Current
Ic
500
mA
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX
UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCES
Ic=100
A,IB=0
30
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=30V,IE=0
100
nA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB=10V,Ic=0
100
nA
DC Current Gain
hFE
VCE=5V,Ic=100mA
10000
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
Ic=100mA,IB=0.1mA
1.5
V
Base-Emitter on Voltage
VBE(on)
VCE=5V,Ic=100mA
2.0
V
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=5V,Ic=10mA,
f=100MHz
125
MHz
Pulse test: Pulse Width<300
s, Duty Cycle=2%
1M
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PDF描述
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