- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95972 > MMBTA13/E8 (GENERAL SEMICONDUCTOR INC) 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA13/E8 |
| 廠商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-236AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | MMBTA13/E8 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA13 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA14/E8 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA13/E9 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA14 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA14/E9 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA13LT1 | 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA13LT1G | 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA13LT3G | 功能描述:達林頓晶體管 SS DL XSTR NPN 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA13-T | 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA13-TP | 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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