- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95971 > MMBTA06L99Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA06L99Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | MMBTA06L99Z |
MPSA06
/
MMBTA06
/
PZTA06
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P33
25
50
75
100
125
0.001
0.01
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RE
NT
(n
A)
A
CBO
V
= 80 V
CB
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BAS
E
M
IT
T
E
R
V
O
LT
AG
E
(V
)
C
BE
S
A
T
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P33
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector Saturation Region
4000
10000
20000
30000
50000
0
0.5
1
1.5
2
I - BASE CURRENT (uA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
B
10 mA
100 mA
1 mA
T
= 25°C
I
=
CE
C
A
CE
R
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
111
112
113
114
115
116
117
RESISTANCE (k )
B
V
-
BRE
AKDO
W
N
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE(V)
CA
P
A
CI
T
A
NCE
(
p
F
)
C
f = 1.0 MHz
CE
C
ob
ib
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA05 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTA05 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA06LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23 |
| MMBTA06LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。