參數(shù)資料
型號： MMBTA06L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： MMBTA06L99Z
MPSA06
/
MMBTA06
/
PZTA06
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
80
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 100
A, I
C = 0
4.0
V
ICEO
Collector-Cutoff Current
VCE = 60 V, IB = 0
0.1
A
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 80 V, IE = 0
0.1
A
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 1.0 V
IC = 100 mA, VCE = 1.0 V
100
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.25
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 1.0 V
1.2
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
Spice Model
NPN (Is=8.324f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=12.16K Ne=1.368 Ise=73.27f Ikf=.1096 Xtb=1.5 Br=11.1 Nc=2 Isc=0
Ikr=0 Rc=.25 Cjc=18.36p Mjc=.3843 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=55.61p Mje=.3834 Vje=.75 Tr=72.15n Tf=516.1p Itf=.5
Vtf=4 Xtf=6 Rb=10)
Typical Characteristics
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 2.0 V,
f = 100 MHz
100
MHz
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P33
0.1
1
10
100
1000
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
EC
T
O
R
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
ESA
T
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P33
0.001
0.01
0.1
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
T
YPIC
A
L
PU
L
SED
C
U
R
EN
T
G
A
IN
FE
- 40 C
25 °C
C
V
= 1V
CE
125 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
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