參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA06
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： MMBTA06
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC = 100
A, IE = 0
80
——
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC = 1mA, IB = 0
80
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE = 100
A, IC = 0
4.0
——
V
Collector-Emitter Cutoff Current
ICES
VCE = 60V, IB = 0
——
100
nA
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
VCB = 80V, IE = 0
——
100
nA
Collector Saturation Voltage
VCEsat
IC = 100mA, IB = 10mA
——
0.25
V
Base-Emitter On Voltage
VBE(on)
IC = 100mA, VCE = 1V
——
1.2
V
DC Current Gain
hFE
VCE = 1V, IC = 10mA
100
———
VCE = 1V, IC = 100mA
100
———
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE = 2V, IC = 10mA
100
—
MHz
f = 100MHz
Note:
(1)Device on fiberglass substrate, see layout on next page
0.59 (15)
0.2 (5)
0.03 (0.8)
0.30 (7.5)
0.12 (3)
.04 (1)
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
.08 (2)
.04 (1)
0.47 (12)
Dimensions in inches (millimeters)
Layout for R
θJA test
Thickness: Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)
Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)
MMBTA06
Small Signal Transistors (NPN)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA06/E8 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA13D87Z NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA13L99Z NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA06_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_L98Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06-7-01-F 制造商:DIODES 功能描述:TRANSISTOR NPN 80V / SOT-23 (LEAD FREE)
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