參數(shù)資料
型號： MMBTA06/E8
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTA06/E8
MMBTA06
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88228
2
20-Feb-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC = 100
A, IE = 0
80
——
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC = 1mA, IB = 0
80
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE = 100
A, IC = 0
4.0
——
V
Collector-Emitter Cutoff Current
ICES
VCE = 60V, IB = 0
——
100
nA
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
VCB = 80V, IE = 0
——
100
nA
Collector Saturation Voltage
VCEsat
IC = 100mA, IB = 10mA
——
0.25
V
Base-Emitter On Voltage
VBE(on)
IC = 100mA, VCE = 1V
——
1.2
V
DC Current Gain
hFE
VCE = 1V, IC = 10mA
100
———
VCE = 1V, IC = 100mA
100
———
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE = 2V, IC = 10mA
100
—
MHz
f = 100MHz
Note:
(1)Device on fiberglass substrate, see layout on next page
0.59 (15)
0.2 (5)
0.03 (0.8)
0.30 (7.5)
0.12 (3)
.04 (1)
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
.08 (2)
.04 (1)
0.47 (12)
Dimensions in inches (millimeters)
Layout for R
θJA test
Thickness: Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)
Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA06/E9 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06G-AE3-R 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA13LT1
MMBTA13 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA06-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Switching/Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23
MMBTA06LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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