參數(shù)資料
型號： MMBT945G-Q-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBT945G-Q-AE3-R
MMBT945
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-094.B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°С, unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
150
mA
Base Current
IB
50
mA
Collector Dissipation(Ta=25
°C)
PC
200
mW
Junction Temperature
TJ
125
°С
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +125
°С
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°С, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=100μA, IE=0
60
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=10mA, IB=0
50
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=40V, IE=0
100
nA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB=3V, IC=0
100
nA
DC Current Gain
hFE
VCE=6V, IC=1mA
90
600
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC=100mA, IB=10mA
0.1
0.3
V
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=50mA
100
190
MHz
Output Capacitance
COB
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
2.0
3.0
pF
Noise Figure
NF
IC=-0.1mA, VCE=6V
RG=10k, f=100Hz
4.0
6.0
dB
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
R
Q
P
K
RANGE
90-180
135-270
200-400
300-600
相關PDF資料
PDF描述
MMBTA06/E8 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06/E9 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06G-AE3-R 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA13LT1
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 56 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 92 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*