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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT9013G-E-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | MMBT9013G-E-AE3-R |
MMBT9013
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 3
www.unisonic.com.tw
QW-R206-021.C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
20
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
500
mA
Collector Dissipation
PC
225
mW
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=100μA, IE =0
40
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA, IB=0
20
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE =100μA, IC=0
5
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
0.16
0.6
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
0.91
1.2
V
Base-Emitter On Voltage
VBE(ON)
VCE =1V, IC=10mA
0.6
0.67
0.7
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=25V, IE =0
100
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=3V, IC=0
100
nA
hFE1
VCE=1V, IC=50mA
64
120
300
DC Current Gain
hFE2
VCE=1V, IC=500mA
40
120
CLASSIFICATION OF hFE1
RANK
D
E
F
G
H
I
RANGE
64-91
78-112
96-135
112-166
144-202
190-300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9013G-H-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013L-I-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013-I-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013-G-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013G-D-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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