參數(shù)資料
型號： MMBT5551G-C-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 144K
代理商： MMBT5551G-C-AE3-R
MMBT5551
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-010,F
■
TYPICAL CHARACTERICS
DC
current
Gain,
h
FE
Collector
Current,
Ic
(mA)
Satura
ti
on
Vo
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(V)
Cu
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Produ
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(pF
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5551-C-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5771L99Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5771S62Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT5551LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5551LT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMBT5551LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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