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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5551G-A-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | MMBT5551G-A-AE3-R |
MMBT5551
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-010,F
ABSOLUATE MAXIUM RATINGS (Ta = 25℃)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector -Base Voltage
VCBO
180
V
Collector -Emitter Voltage
VCEO
160
V
Emitter -Base Voltage
VEBO
6
V
DC Collector Current
IC
600
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-40 ~ +150
°C
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25℃, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
VCBO
IC=100μA, IE=0
180
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
VCEO
IC=1mA, IB=0
160
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
VEBO
IE=10μA, IC=0
6
V
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=120V, IE=0
50
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE=4V, IC =0
50
nA
DC Current Gain(note)
hFE
VCE=5V, IC =1mA
VCE=5V, IC =10mA
VCE=5V, IC =50mA
80
160
400
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1mA
IC=50mA, IB=5mA
0.15
0.2
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1mA
IC=50mA, IB=5mA
1
V
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC =10mA, f=100MHz
100
300
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
6.0
pF
Noise Figure
NF
IC=0.25mA, VCE=5V
RS=1kΩ, f=10Hz ~ 15.7kHz
8
dB
Note: Pulse test: PW<300
μs, Duty Cycle<2%
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
A
B
C
RANGE
80-170
150-240
200-400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551-A-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551G-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5551LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5551LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT5551LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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