參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5551
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 178K
代理商： MMBT5551
Electrical characteristic curves
Fig.1 DC Current Gain
Fig.2 Collector Saturation Region
Fig.3 “
“
“On” Voltages
Fig.4 Capacitances
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5771L99Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5771S62Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT589 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT589 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5962D87Z NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
MMBT5551_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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