- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95969 > MMBT5401G-A-AE3-R (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5401G-A-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | MMBT5401G-A-AE3-R |
MMBT5401
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-011.F
U T C assum es no responsibility for equipm ent failures that result from using products at v alues that
ex ceed, ev en m om entarily, rated v alues (such as m ax im um ratings, operating condition ranges, or
other param eters) listed in products specifications of any and all U T C products described or contained
herein. U T C products are not designed for use in life support appliances, dev ices or system s where
m alfunction of these products can be reasonably ex pected to result in personal injury. R eproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. T he inform ation
presented in this docum ent does not form part of any quotation or contract, is believ ed to be accurate
and reliable and m ay be changed without notice.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5401L-A-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401-C-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401L-B-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401G-C-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401-A-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5401LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5401LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。